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4GB Module – DDR3 1600MHz

Número de parte: KVR16N11S8/4
Especificaciones: DDR3, 1600MHz, Non-ECC, CL11, 1.5V, Unbuffered, DIMM

Sin existencias

SKU: INV-KVR16N11S8/4 Categoría:

Descripción

• JEDEC standard 1.5V (1.425V ~1.575V) Power Supply • VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V) • 800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin • 8 independent internal bank • Programmable CAS Latency: 11, 10, 9, 8, 7, 6 • Programmable Additive Latency: 0, CL – 2, or CL – 1 clock • 8-bit pre-fetch • Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using A12 or MRS] • Bi-directional Differential Data Strobe • Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%) • On Die Termination using ODT pin • Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE < 95°C • Asynchronous Reset • PCB : Height 0.740” (18.75mm) or 1.180” (30.00mm)

Información adicional

Peso 0,09 kg
Dimensiones 0,00 × 0,00 × 0,00 cm
Marca

Kingston

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