Descripción
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Interfaz
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PCI-Express 4.0×4, NVMe 1.3
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Factor de forma
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M.2 2280
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Capacidad total
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500 GB
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NAND
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3D TLC Toshiba BiCS4
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Caché DDR externo
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DDR4 512 MB
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Velocidad de lectura secuencial
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Hasta 5000 MB / s
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| Hasta 5600 MB / s | |
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Velocidad de escritura secuencial
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Hasta 2500 MB / s
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IOPS de lectura aleatoria
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hasta 400k
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IOPS de escritura aleatoria
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hasta 550k
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Dimensión
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80,5 x 11,25 x 23,5 mm
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Tiempo medio entre fallos (MTBF)
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1,77 millones de horas
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Consumo de energía (activo)
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Promedio: R: 5,9 W; W: 4,5 W
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Consumo de energía (inactivo)
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13,21 mW
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Temperatura (en funcionamiento)
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0 ° C hasta 70 ° C
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Temperatura (almacenamiento)
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-40 ° C hasta 85 ° C
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